上海清华国际创新中心高通量阴极荧光成像实验室建设稳步推进 2026年05月13日 来源: 普陀科技
在普陀区科委、长风集团支持下,上海清华国际创新中心创新中心高通量阴极荧光成像实验室建设稳步推进,该实验室面向第三代半导体、Micro-LED及先进光电子器件对高分辨、高效率检测的需求,旨在为芯片研发提供高分辨率微观检测技术服务与支撑,填补区域高端检测平台空白。 目前项目团队正加快推进设备建设、空间布置和团队入驻等各项工作。阴极荧光成像相关核心设备已运抵上海清华国际创新中心,实验室办公空间也已完成布置,现场融入了清华校色、清华标识和科研文化等元素,整体环境初步成形。后续,工程师和研发人员将陆续入驻,开展设备安装、系统搭建和实验验证工作。 阴极荧光成像是半导体材料和器件检测中的关键技术。利用电子束激发材料发光,能够在微纳尺度下精准表征材料缺陷、发光均匀性、应力分布等关键信息,适用于氮化镓、碳化硅、Micro-LED等宽禁带半导体材料和器件的研发及性能检测。相较于传统光学检测方法,阴极荧光成像兼具优异的空间分辨率和光电信息获取能力,可为晶圆级缺陷溯源、工艺优化及质量评估提供更精细的数据支撑。 实验室研发的高通量阴极荧光成像设备,面向晶圆级半导体检测场景,重点解决传统阴极荧光系统成像速度慢、光路体积大、检测效率不足等问题。设备拟集成高亮度场发射电子枪、电子光学系统、高速扫描控制、背散射电子探测器和紧凑型阴极荧光收集光路,实现二次电子、背散射电子和阴极荧光信号的同步采集。该系统将实现6英寸、纳米级高通量阴极荧光检测能力。 当前,团队已完成设备总体方案设计和关键模块论证,正在推进设备进场后的安装准备、空间适配、配套条件完善和系统联调安排。随着工程师团队入驻,实验室将重点开展电子光学调试、阴极荧光成像测试、光谱标定和晶圆级检测流程验证,逐步形成面向半导体材料与器件的检测服务能力。 高通量阴极荧光成像实验室的建设,将为国产高端半导体检测设备研发提供重要支撑,赋能普陀区“苏河芯湾”集成电路产业生态,有力服务第三代半导体、新型显示和先进光电子器件等方向的创新发展。 原创:普陀科技